半导体废气治理有哪些特点？半导体行业废气几大特点介绍

半导体废气治理有哪些特点？下面就半导体行业废气来源种类，格林斯达环保公司结合自家公司案例为你分享如下：

一、半导体分立器件、集成电路

1、半导体常见的双极管之一的NPN三极管流程主要工艺有：氧化、光刻、N型外延、基区扩散、发射区扩散、Al金属化、化学气相沉积（CVD）钝化层等步骤，工艺流程与集成电路生产工艺类似。

2、集成电路制造可大致分为各独立的“单元”，如晶片制造、氧化、掺杂、显影、刻蚀、薄膜等。各单元中又可再分为不同的“操作步骤”，诸如清洗、光阻涂布、曝光、显影、离子植入、光阻去除、溅镀、化学气相沉积等。

由于半导体工艺对操作室清洁度要求极高，通常使用风机抽取工艺过程中挥发的各类废气，因此半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。这些废气排放主要可以分为四类：酸性气体、碱性气体、有机废气和有毒气体。

酸碱废气主要来自于扩散、CVD 、CMP 及刻蚀等工序，这些工序使用酸碱清洗液对晶片进行清洗。目前，在半导体制造工艺中使用为普遍的清洗溶剂为过氧化氢和硫酸的混合剂。这些工序中产生的废气包括硫酸、氢氟酸、盐酸、硝酸及磷酸等的挥发气，碱性气体为氨气。

有机废气主要来源于光刻、显影、刻蚀及扩散等工序，在这些工序中要用有机溶液(如异丙醇)对晶片表面进行清洗，其挥发产生的废气是有机废气的来源之一: 同时，在光刻、刻蚀等过程中使用的光阻剂(光刻胶)中含有易挥发的有机溶剂，如醋酸丁酯等，在晶片处理过程中也要挥发到大气中，是有机废气产生的又一来源。

有毒废气主要来源于晶体外延、干法刻蚀及CVD 等工序中，在这些工序中要使用到多种高纯特殊气体对晶片进行处理，如硅烷( SiH4) 、磷烷(PH3 ) 、四氟化碳( CF4 ) 、硼烷、三氯化硼等，部分特殊气体具有毒害性、窒息性及腐蚀性。

二、半导体封装

封装指从晶片上切割单个芯片到zui后包装的一系列步骤

 封装工艺产生的废气较为简单，主要是酸性气体、环氧树脂及粉尘。酸性废气主要产生于电镀等工艺；烘烤废气则产生于晶粒粘贴、封胶后烘烤过程；划片机在晶片切割过程中，产生含微量砂尘的废气。

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